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NRTW : La fiabilité du SiC pour des applications de Puissance / HVDC / Montée en tension. 

octobre 15 @ 8 h 30 min - 16 h 00 min

NRTW : La fiabilité du SiC pour des applications de Puissance / HVDC / Montée en tension. 


Programme de la journée


8h30 Accueil

8h50 Introduction / Rappel de la journée

9h00 Expression de besoins face au SiC

  • Introduction et rappel de l’enjeux du SiC – R.MEURET
  • Safran – R.MEURET
  • Valeo / Auto – D.DELAUX
  • Alstom – M.PITON
  • Questions et échanges

9h30 Offre des composants SiC par St Microélectronics

Intervenant : En cours de confirmation

10h00 Pause

10h15  Présentation du projet SICRET « Siclicon Carbide Reliability Evaluation for Transport » // IRT Saint Exupery (F.COCCETTI)

10h45 Vision nationale des compétences académiques dans la thématique de la « Fiabilité des composants de puissance » // Mounira BERKANI – SEEDS

11h15 Expertises scientifique – LAPLACE : Robustesse du Mosfet SiC en régime extrême de court-circuit : propriétés, modes de défaillance et protection // Frédéric RICHARDEAU

11H45 Expertises scientifique – AMPERE : Body-diode conduction and MOSFET oxide degradation // Hervé MOREL

12h30 Cocktail Déjeunatoire

13h30 Expertises scientifique – IES Montpellier : Power MOSFETs sensitivity to Atmospheric radiation : failure mechanisms and testing methods // Antoine TOUBOUL,Maitre de Conférence

14h00 Expertises scientifique – LAAS : Mécanismes de défaillance ESD // David Trémouilles

14h30 Expertises scientifique – GPM : Analyse de défaillance des transistors MOSFET : Du boîtier, jusqu’à l’atome // Olivier LATRY

15h00 Expertises scientifique – IFSTARR : Fiabilité et robustesse des Mosfet-SiC : état de l’art, enjeux et verrous // Mounira Berkani, Maitre de Conférence, Chercheuse au laboratoire SATIE

15h30 La puissance dans FIDES : perspectives // Franck DAVENEL

Au cours de cet exposé seront abordés les points communs et les différences méthodologiques nécessaires pour mener à bien l’expertise de composants SiC de type diodes, MOSFET et JFET. La limitation des outils actuels pour appréhender certains mécanismes de défaillances sera aussi esquissée à travers l’expérience acquise au laboratoire mais aussi par un RETEX des méthodes développées mondialement et publiées dans les grands congrès du domaine (ICSCRM, ECSCRM,…).

16h00 Challenges posés par l’expertise technologique des composants grands gaps SiC. L’expérience DGA // Christian MOREAU

Après une brève introduction sur la fiabilité et la durée de vie des composants et équipements électroniques , l’exposé abordera la construction des modèles FIDES et la couverture en termes de composants de puissance du guide FIDES à l’issue des travaux de l’Etude Amont PISTIS (nouvelle version du guide FIDES prévue fin 2020). On conclura par les perspectives en termes de besoins de nouveaux modèles de composants de puissance et les données d’entrées nécessaires pour les construire.

 

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Organisateurs



Programme


Programme de l’événement

Détails

Date :
octobre 15
Heure :
8 h 30 min - 16 h 00 min
Catégorie d’Évènement:
Étiquettes Évènement :
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Lieu

IRT Saint Exupery – B612 – 6ème étage
3 Rue Tarfaya
Toulouse, 31400 France

Organisateurs

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MOVEO
irt saint exupery
IEEE france section
ASTech Paris Region
aerospace valley
CNES
Centre Français de Fiabilité
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