+33 2 32 80 88 00 Contact

Actualités

Les HEMT GaN bidirectionnels Bi-GaN d’Innoscience utilisés à l’intérieur des smartphones permettent d’économiser de l’espace, d’augmenter l’efficacité et de réduire l’élévation de température

Les HEMT GaN bidirectionnels Bi-GaN d’Innoscience utilisés à l’intérieur des smartphones permettent d’économiser de l’espace, d’augmenter l’efficacité et de réduire l’élévation de température

OPPO annonce les premiers téléphones portables au monde avec protection de charge GaN intégrée 1 er Septembre 2022 - Innoscience Technology, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions d'alimentation au nitrure de gallium sur...

lire plus