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Infineon SiC powers Eaton solid-state transformer for 800V AI data centers

Infineon Technologies is supplying silicon carbide (SiC) power devices to Eaton for its latest medium-voltage solid-state transformer platform, targeting 800V DC power architectures for AI data centers. The companies say...

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Alimentation de puissance : Wise Integration et Navitas s’associent pour une conversion d’énergie destinée aux applications d’IA

La jeune société française Wise Integration (*), spécialisée dans le contrôle numérique pour les convertisseurs de puissance à large bande interdite (wide-bandgap) et l’américain Navitas Semiconductor (**), spécialiste en semi-conducteurs...

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GaN, SiC, IA : comment l’électronique de puissance se réinvente ?

Véhicules électriques, développement des énergies renouvelables, explosion des data centers et essor de l’intelligence artificielle : les besoins en électricité évoluent rapidement. Dans ce contexte, l’électronique de puissance est confrontée...

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Co-Packaged Optics Explained

Every time a question is sent to an AI chatbot, data races across thousands of processors via pulses of light in optical fibers. Inside data centers, switch chips manage this...

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Nouveauté chez Mouser : transistors GaN GaNEXUS d’onsemi pour l’IA, l’industrie, l’énergie et la robotique

Mouser Electronics, Inc., le distributeur leader de l’industrie dans l’introduction de nouveaux produits (NPI) avec la plus large sélection de composants électroniques et de semi-conducteurs™, propose désormais les nouveaux transistors...

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Powering data, managing heat: Ultrason® for AI-driven E&E applications

BASF is expanding the application focus of its Ultrason® portfolio to advance the development of electrical and electronic (E&E) components used in AI-driven data centers, high-speed connectivity and e-mobility. BASF’s...

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Google teste un centre de données IA en orbite.

Google a lancé les tests d’un centre de données orbital dédié à l’IA à travers l’initiative « Suncatcher ». Un satellite prototype de la taille d’un réfrigérateur, développé en partenariat...

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Revolutionising short-circuit reliability

Engineers from China have demonstrated that the introduction of a thin AlGaN barrier can deliver a substantial hike in the short-circuit reliability of the GaN HEMT. The III-N transistors produced...

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