L’industrie aérospatiale s’engage de plus en plus dans la transition vers des systèmes électriques dans le but de réduire les émissions et d’optimiser l’efficacité.
Dans ce contexte et face à ces exigences, les transistors de puissance à base de nitrure de gallium (GaN) apparaissent comme les meilleurs candidats pour relever ces défis exigeants imposés par l’industrie du transport. Ils se distinguent notamment par leur tension de claquage elevé, leur vitesse de commutation, et leurs faibles pertes, permettant ainsi d’atteindre une densité de puissance élevée et un haut rendement énergétique. C’est dans ce contexte que l’IRT Saint Exupéry a mené le projet GANRET jusqu’à la fin d’année 2025.
GANRET : un premier projet pour permettre l’intégration massive de l’électronique de puissance basée sur le GaN
