19 05 2025 | Innovation et technologique
Infineon Technologies AG is introducing the CoolGaN bidirectional switch (BDS) 650 V G5, a gallium nitride (GaN) switch capable of actively blocking voltage and current in both directions. Featuring a common-drain design and a double-gate structure, it leverages...
19 05 2025 | Innovation et technologique
STMicroelectronics says its new high-voltage half-bridge gate drivers for GaN applications add extra flexibility and features for greater efficiency and robustness. The latest STDRIVEG610 and STDRIVEG611 give designers two options to manage GaN devices in power...
19 05 2025 | Innovation et technologique
Infineon to use new SiC TSJ technology to expand efficiency and compactness of CoolSiC range Infineon is introducing trench-based SiC superjunction (TSJ) technology, adding to its existing CoolSiC product offering spanning 400 V to 3.3 kV “With the introduction of the...
19 05 2025 | Innovation et technologique
SOPHIA ANTIPOLIS , France – 15 mai 2025 │ Selon les données de notre SiC Patent Monitor , la technologie du carbure de silicium (SiC) de puissance a connu une forte activité de dépôt de brevets au premier trimestre 2025, avec plus de 840 nouvelles familles de brevets...
19 05 2025 | Innovation et technologique
Imaginez un ciel noir, déchiré par des éclairs, et au cœur de cette tempête, un drone défiant la nature pour dompter la foudre. Cette scène, digne d’un film de science-fiction, est devenue réalité grâce à une innovation japonaise qui pourrait transformer notre rapport...
