Innoscience Technology a lancé la série Bi-GaN de dispositifs GaN HEMT bidirectionnels qui économisent de l’espace et permettent une charge rapide sans souffrir de la limitation de la fiabilité et d’éventuelles augmentations dangereuses de la température qui peuvent parfois être remarquées dans les dispositifs traditionnels au silicium. Il a également révélé que la principale société d’électronique grand public et de communications mobiles, OPPO, utilise les nouveaux appareils BiGaN à l’intérieur de son combiné téléphonique pour contrôler les courants de charge et de décharge de la batterie. C’est la première fois qu’une telle protection, basée sur la technologie GaN, est intégrée au téléphone lui-même – auparavant, les circuits devaient être inclus à l’intérieur du chargeur.
Jusqu’à récemment, les MOSFET au silicium étaient utilisés comme interrupteurs d’alimentation dans les téléphones portables. Cependant, ces appareils conventionnels occupent non seulement un espace considérable sur le circuit imprimé principal d’un téléphone portable, où chaque millimètre compte, mais ils peuvent également entraîner des augmentations de température importantes et une perte de puissance lors d’une charge rapide. InnoGaN présente des caractéristiques avantageuses, notamment une fréquence élevée, un rendement élevé et une faible résistance, qui sont essentielles pour une charge efficace.
Pour en savoir plus : Bi-GaN bi-directional GaN HEMTs save space and increase efficiency