L’objectif principal de cette thèse est d’étudier les phénomènes de piégeage présents dans la structure des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en Nitrure de Gallium (GaN) des deux technologies GH25 et GL2D. Le travail présenté dans ce mémoire se compose de deux grandes parties. Dans la première partie, nous présentons la technique athermique A-DCTS ainsi que les protocoles développés pour la caractérisation des pièges situés à la surface et/ou dans le buffer GaN. Dans la deuxième partie, nous étudions l’évolution des pièges générés par un vieillissement à long terme (12000h) en conditions opérationnelles RADAR et par step stress des composants GH25 et GL2D.

Source : Etude des phénomènes de piégeage sur la fiabilité à long terme des transistors à haute mobilité électronique en Nitrure de Gallium – TEL – Thèses en ligne