IC comprend HEMT, pilote, détection de courant et protection ; Il élimine le LDO dans les conceptions USB-PD…Innoscience, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions d’alimentation de haute performance et à faible coût au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), a annoncé aujourd’hui une famille de quatre nouveaux systèmes intégrés. Ces dispositifs combinent l’alimentation GaN HEMT, le pilote, la détection de courant et d’autres fonctions dans un seul boîtier QFN 6×8 mm standard de l’industrie. Les dispositifs SolidGaN 700 V ISG610x couvrent la plage de 140 mÙ à 450 mÙ et permettent d’économiser de l’espace sur les circuits imprimés et le nombre de nomenclatures, tout en augmentant l’efficacité et en simplifiant la conception pour les applications telles que les chargeurs USB-PD, l’éclairage LED, les alimentations CA/CC et les PFC, les QR flyback ainsi que les convertisseurs ACF et LLC.Les nouveaux appareils intégrés disposent d’une large plage VCC de 9 V à 80 V, ce qui est avantageux dans les applications USB-PD nécessitant une sortie jusqu’à 28 V. Les appareils concurrents qui ont une tension d’entrée limitée à 30 V nécessitent un LDO externe haute tension ou plusieurs composants discrets pour obtenir une sortie supérieure à 15 V. Les nouveaux composants SolidGaN d’Innoscience peuvent facilement couvrir les exigences de tension de sortie USB-PD sans LDO externe ou autres composants, ce qui permet d’économiser le coût de la nomenclature et de réduire la surface sur la carte.
Pour en savoir plus : Innoscience lance la famille de circuits intégrés GaN HEMT intégrés 700 V