Une équipe de recherche dirigée par le professeur agrégé Jianbo Liang et le professeur Naoteru Shigekawa de la Graduate School of Engineering de l’Université métropolitaine d’Osaka au Japon a fabriqué des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en nitrure de gallium (GaN) en utilisant le diamant comme substrat (« High Thermal Stability et faible résistance thermique des jonctions GaN/3C-SiC/Diamond de grande surface pour les processus de dispositifs pratiques’, publié dans ‘Small’ DOI : 10.1002/smll.202305574).
Avec la miniaturisation croissante des dispositifs semi-conducteurs, des problèmes surviennent tels que l’augmentation de la densité de puissance et la génération de chaleur qui peuvent affecter les performances, la fiabilité et la durée de vie des dispositifs. Une gestion thermique efficace est donc cruciale. Le diamant, qui possède la conductivité thermique la plus élevée de tous les matériaux naturels, est un matériau de substrat idéal mais n’a pas encore été mis en pratique en raison des difficultés de liaison du diamant aux éléments GaN.
Pour en savoir plus : Les GaN HEMT sur diamant démontrent une dissipation thermique deux fois supérieure à celle du GaN-sur-SiC