Des chercheurs de l’Indian Institute of Science (IISc) ont découvert des principes fondamentaux pour la conception des transistors de puissance à base de nitrure de gallium (GaN), les rendant plus sûrs et plus faciles à utiliser dans l’électronique de haute valeur comme les véhicules électriques et les centres de données.
Le GaN peut réduire considérablement les pertes d’énergie et diviser par trois la taille des convertisseurs de puissance et autres modules d’électronique de puissance, mais son adoption a été lente en raison des capacités limitées de sa grille, qui contrôle le flux de courant. Avec les transistors commerciaux actuellement utilisés qui emploient une grille en p-GaN, le dispositif commence à conduire à une faible tension de seuil (la tension de grille nécessaire pour le commuter), typiquement autour de 1,5 à 2 V. Ces transistors commencent également à fuir au-dessus de 5-6V.
Pour en savoir plus : Redéfinir les dispositifs à base de GaN pour leur adoption dans les véhicules électriques et centres de données
Redéfinir les dispositifs à base de GaN pour leur adoption dans les véhicules électriques et centres de données
