Infineon Technologies AG is introducing the CoolGaN bidirectional switch (BDS) 650 V G5, a gallium nitride (GaN) switch capable of actively blocking voltage and current in both directions. Featuring a common-drain design and a double-gate structure, it leverages...
STMicroelectronics says its new high-voltage half-bridge gate drivers for GaN applications add extra flexibility and features for greater efficiency and robustness. The latest STDRIVEG610 and STDRIVEG611 give designers two options to manage GaN devices in power...
Infineon to use new SiC TSJ technology to expand efficiency and compactness of CoolSiC range Infineon is introducing trench-based SiC superjunction (TSJ) technology, adding to its existing CoolSiC product offering spanning 400 V to 3.3 kV “With the introduction of the...
SOPHIA ANTIPOLIS , France – 15 mai 2025 │ Selon les données de notre SiC Patent Monitor , la technologie du carbure de silicium (SiC) de puissance a connu une forte activité de dépôt de brevets au premier trimestre 2025, avec plus de 840 nouvelles familles de brevets...
En constante évolution et engagé dans une stratégie d’optimisation continue de la conception et de la fabrication, le secteur de l’électronique est confronté en permanence à l’obsolescence des anciens composants et sous-systèmes électroniques, remplacés par de...
