Les analystes ne sont peut-être pas d’accord sur les chiffres réels, mais il ne fait aucun doute que le marché des semi-conducteurs de puissance au GaN (nitrure de gallium) est en plein essor… Le taux de croissance annuel composé (CAGR) pourrait bien être de 50%...
The load mismatch reliability issue is a significant challenge in designing high-power amplifiers. This article presents a Ku-band single-input dual-output gallium nitride (GaN) high-power amplifier microwave monolithic integrated circuit (MMIC) integrated with a...
Les systèmes embarqués sont au cœur des appareils électroniques modernes. Ils sont intégrés aux étages d’entrée des alimentations, aux principaux circuits imprimés de contrôle, aux moteurs, aux dispositifs de commandes de moteur, aux capteurs et aux interfaces...
Researchers based in USA and Japan report the demonstration of more than 10kV enhancement-mode (E-mode) gallium oxide (Ga2O3) lateral junction field-effect transistors (JFETs) with nickel oxide (NiO) reduced-surface-field (RESURF) structures and hybrid-drain,...
La flexion fréquente des câbles de cisailles pendant le fonctionnement entraîne souvent une fatigue mécanique, ce qui présente des risques pour la sécurité des équipements. Prédire avec précision les propriétés mécaniques de ces câbles dans des conditions de flexion...
