16 12 2024 | Innovation et technologique
Les matériaux électroactifs organiques, susceptibles de présenter de bonnes propriétés des couplages électromécaniques, ouvrent la voie à de nombreuses applications d’actionneurs et/ou capteurs hautement intégrables aux structures. Cela permettra à terme d’ajouter...
25 11 2024 | Actualité Défense et Sécurité, Innovation et technologique
Déclinée dans différentes configurations et topologies, la gamme IGBT 7 de l’Américain voit sa densité de puissance améliorée par rapport à la génération précédente dans les applications nécessitant des tensions allant de 1200 à 1700 V et des courants de 50 à 900 A....
18 11 2024 | Nouveaux carburants, Actualité Défense et Sécurité, Innovation et technologique
Les composants de puissance évoluent pour répondre aux demandes croissantes d’efficacité, de taille réduite et de performances accrues dans les systèmes électroniques de puissance. Pour offrir aux concepteurs de systèmes une large gamme de solutions de puissance,...
12 11 2024 | Innovation et technologique
In this paper, we review the gate reliability of the GaN MOSc-HEMT as well as the specific method to address the peculiarities of these transistors. The long term forward gate TDDB will be explored showing the impact of the gate recession and gate material on the...
12 11 2024 | Innovation et technologique
We discuss recent advancements in the development of vertical GaN devices, and the related reliability challenges. Key results indicate that: (i) vertical GaN devices can show high performance, low background doping, and kV-range breakdown voltages; avalanche...
