12 09 2022 | Innovation et technologique
Ces nouveaux dispositifs vont améliorer l’efficacité énergétique et réduire la taille des applications industrielles… Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé cinq nouveaux MOSFET 650 V de 3ème génération en carbure de silicium (SiC), destinés aux...
5 09 2022 | Innovation et technologique
OPPO annonce les premiers téléphones portables au monde avec protection de charge GaN intégrée 1 er Septembre 2022 – Innoscience Technology, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions d’alimentation au nitrure de...
5 09 2022 | Innovation et technologique
Toshiba a lancé un total de cinq nouveaux dispositifs MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V de troisième génération pour les équipements industriels. Ces produits hautement efficaces et polyvalents seront utilisés dans une variété d’applications exigeantes,...
29 08 2022 | Innovation et technologique
San Diego, CA, July 13, 2022 (GLOBE NEWSWIRE) — Researchers at General Atomics (GA) announced a new concept for advancing fusion energy using advanced Silicon Carbide (SiC)–based materials that can withstand the intense conditions within a high-power fusion...
29 08 2022 | Innovation et technologie
Third-generation compound semiconductors such as SiC and GaN are very crucial to the future development of electrical vehicles (EV) and green power industries, and heterogeneous integration will play a pivotal role in determining market competitiveness… Pour en...