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[:fr]Veille technologique NAE : Fiabilité[:]

3 04 2018 | RTI, Actualités NAE - RTI

[:fr]

Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique.

Aujourd’hui retrouvez sa veille n°5 sur la thématique Fiabilité qui abordera :

  • Evaluation of the Schottky Contact Degradation on the Temperature Transient Measurements in GaN HEMTs
  • Ultraviolet-A LED Based on Quantum-disks-in-AlGaN-nanowires – Optimization and Device Reliability
  • Electrical performance and reliability characterization of a SiC MOSFET power module with embedded decoupling capacitors
  • Survey of high-temperature reliability of power electronics packaging components
  • Etude de fiabilité des modules d’électronique de puissance à base de composant SiC pour applications hautes températures
  • Comparing the performance of Si IGBT and SiC MOSFET switches in modular multilevel converters for medium voltage PMSM speed control
  • On the Transient Thermal Characteristics of Silicon Carbide Power Electronics Modules
  • The roadmap for development of piezoresistive micro mechanical sensors for harsh environment applications

Retrouvez toute cette veille ici : CLIQUEZ ICI (avec lien hypertexte)[:]

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