Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) – qui est issue du groupe de conversion de l’énergie électrique et de l’énergie du département d’ingénierie de l’Université de Cambridge en 2016 et qui conçoit, développe et commercialise des transistors de puissance et des circuits intégrés qui utilisent des substrats GaN sur silicium – reflète son transition de start-up à scale-up avec une présence considérablement accrue à l’événement Power, Control and Intelligent Motion (PCIM) Europe 2023 à Nuremberg, en Allemagne (9-11 mai). La société dévoile la prochaine génération de sa famille de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) ICeGaN, détaillant les innovations qui soutiennent la double revendication concernant la facilité d’utilisation et la robustesse, et fournissant une suite complète de démonstrations.
Pour en savoir plus : Cambridge GaN Devices présente au PCIM