Le CEA comme Commissariat aux Energies Atomiques et Alternatives a comme objectif de développer et soutenir les avancées scientifiques et technologiques dans le domaine de l’énergie propre. Dans ce cadre le CEA LETI étudie et développe des composants de puissance et d’éclairage de basse consommation (LED) en partenariat avec plusieurs industriels majeurs du domaine. Concernant la puissance, l’objectif est l’obtention de composants fonctionnant à haute tension et permettant le passage de courant de 100A. Les propriétés du GaN et de ses alliages permettent la réalisation de transistors de puissance à fortes performances, si on les compare aux traditionnels transistors à base de silicium. Actuellement, une barrière hétéro-épitaxiée à base d’AlGaN est couramment utilisée, mais ses propriétés peuvent être limitées du fait de la forte différence de paramètres de maille cristalline entre cette barrière et le GaN. Afin de satisfaire les besoins des futurs composants à base de GaN, en termes de fiabilité et de performance, nos premiers travaux ont démontré la faisabilité d’épitaxie d’une couche barrière d’InAlN à paramètre de maille plus proche de celui du GaN. Cette thèse se place dans la continuité de ces travaux : il s’agira de poursuivre les études sur les films d’InGaAlN, d’en identifier les limites d’application et de développer des épitaxies de films quaternaires permettant de répondre à ces limites.
Epitaxie de couches d’alliages quaternaires à base d’InAIGaN pour les transistors de haute performance – TEL – Thèses en ligne
