Validation récente d’un portefeuille de brevets de 5N+ essentiels à la mise au point de nouveaux interrupteurs de puissance à base de GaN sur silicium en structure verticale utilisés dans des applications liées à l’électronique à haute puissance 600V/ 1200V, aux véhicules électriques et aux serveurs d’IA MONTRÉAL, le 21 mars 2024 /CNW/ – 5N Plus inc. (« 5N+ » ou la « Société ») (TSX: VNP), chef de file de la production de semiconducteurs spécialisés et de matériaux de haute performance à l’échelle mondiale, a annoncé aujourd’hui qu’elle lançait officiellement les droits de commercialisation de son portefeuille de brevets liés au nitrure de gallium sur silicium (GaN sur silicium), qui permettront de repousser les limites des technologie des semiconducteurs et des technologies de commutation de puissance. Ces brevets clés peuvent permettre à des entreprises des secteurs de l’électronique à haute puissance, des véhicules électriques et des serveurs d’intelligence artificielle de mettre rapidement au point des prototypes de nouveaux interrupteurs de puissance à base de GaN sur silicium en structure verticale, et ainsi arriver premier sur le marché.
Pour en savoir plus : Grâce à ses brevets, 5N+ se positionne favorablement pour commercialiser les tout premiers interrupteurs de puissance à base de GaN sur silicium en structure verticale