La troisième génération de Mosfet au carbure de silicium (SiC) 650V et 1200V de Toshiba est désormais présente au catalogue d’element14. Le distributeur assure que ces produits « très polyvalents » peuvent honorer une vaste gamme d’applications comme les alimentations à découpage (SMPS) et les alimentations sans coupure (UPS) pour les serveurs, les centres de données et les équipements de communication. D’autres utilisations incluent les énergies renouvelables, telles que les onduleurs photovoltaïques (PV), et les convertisseurs DC-DC bidirectionnels utilisés pour la recharge des véhicules électriques (VE).

Les concepteurs utilisant ces Mosfet devraient pouvoir ainsi réduire la taille des applications industrielles et fournir jusqu’à 80% d’amélioration en pertes statiques et dynamiques. D’après element14, « une perte de puissance considérablement réduite permet le développement de solutions avec des densités de puissance plus élevées et des coûts de fonctionnement inférieurs. Le facteur de mérite (FoM), calculé comme le produit de la résistance à l’état passant drain-source (RDS(on)) et de la charge grille-drain (Qg) pour représenter les pertes statiques et dynamiques, s’est amélioré d’environ 80% ». Les derniers dispositifs intègrent la diode à barrière Schottky (SBD) intégrée vue dans la deuxième génération, qui améliore la fiabilité des Mosfet SiC en surmontant les effets parasites internes pour maintenir une RDS(on) stable.

Pour en savoir plus : La troisième génération de Mosfet au carbure de silicium de Toshiba est présente chez element14