Innoscience Technology, entreprise fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions de puissance au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) à la fois performantes et rentables, lance aujourd’hui le INN40W08, un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) GaN-on-Si bidirectionnel 40 V, destiné aux appareils mobiles, comme les ordinateurs et les téléphones portables. Le HEMT INN40W08 a été développé grâce à InnoGaN, une technologie de pointe de l’entreprise qui se caractérise par une résistance à l’état passant RDS(on) ultra-faible.
Dr Denis Marcon, Directeur Général d’Innoscience Europe et Directeur Marketing pour les États-Unis et l’Europe, déclare : « La technologie GaN a été adoptée par les fabricants de chargeurs de téléphones ces deux dernières années pour pouvoir fournir une puissance accrue, tout en réduisant la taille des dispositifs. Cependant, la percée significative réalisée par Innoscience permet désormais d’introduire aussi des HEMT GaN dans les téléphones portables, pour en améliorer l’efficacité énergétique et les performances. Grâce à son énorme capacité disponible, Innoscience est en mesure de fournir la chaîne d’approvisionnement sécurisée que les clients attendent aujourd’hui. »
Source : Le Monde de l’Industrie – Produits