Grâce à une structure originale permettant de porter la tension de claquage de grille des transistors HEMT 150V en GaN à 8V contre 6V habituellement, le Japonais Rohm rend ces composants plus fiables et plus simples à contrôler. De quoi favoriser l’adoption du GaN à plus grande échelle dans les applications de puissance.
Dans le domaine de la puissance et de la conversion d’énergie, les semiconducteurs à grand gap, tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN), sont l’objet de toutes les attentions compte tenu de leurs caractéristiques intrinsèques intéressantes par rapport aux solutions en silicium.
Source : Les HEMT GaN de 150V gagnent en fiabilité et en simplicité de contrôle – VIPress.net