Par rapport aux modèles 1700 V, ces Mosfet de la gamme CoolSiC en version 2000 V offrent des densités de puissance accrues sans compromis sur la fiabilité du système.
Infineon Technologies commercialise une version très haute tension de sa gamme CoolSiC de Mosfet en boîtier à broches traversantes. Selon l’Allemand, il s’agit du premier dispositif discret du marché en carbure de silicium avec une tension de claquage de 2000 V. Ce composant de puissance est encapsulé dans un boîtier TO-247PLUS-4-HCC avec une ligne de fuite de 14 mm et une distance de dégagement de 5,4 mm.
Grâce à cette tension élevée, ce composant s’adresse aux concepteurs souhaitant augmenter la puissance de leur système sans augmenter le courant et sans en compromettre la fiabilité, même sous des conditions de fréquence de commutation élevées. Par rapport aux Mosfet SiC 1700 V, les derniers nés de la gamme CoolSiC d’Infineon présentent également une marge de surtension suffisamment élevée pour les systèmes 1500 Vdc pour lesquels ils sont particulièrement adaptés.
Pour en savoir plus : Les mosfet coolsic d’infineon grimpent à 2000 V