De par leurs caractéristiques intrinsèques, les semi-conducteurs à grand gap, qu’ils soient à base de carbure de silicium (SiC) ou de nitrure de gallium (GaN), sont au cœur de toutes les attentions. Ils sont en effet capables de traiter des tensions nettement plus élevées que le silicium sans compromettre la résistance à l’état passant, réduisant ainsi les pertes de conduction. Ils peuvent également commuter avec une plus grande efficacité – ce qui se traduit par de très faibles pertes de commutation – et cela à des fréquences bien supérieures, ce qui implique l’adoption de composants passifs de plus petites dimensions. De quoi donner lieu à la conception d’alimentations particulièrement compactes et peu énergivores.
Source : STMicroelectronics lance ses premiers transistors de puissance en GaN – VIPress.net