Gallium Nitride (GaN) devices are becoming an attractive option in industry to achieve high-power-density and high-efficiency converter design. However, the dynamic on-resistance of GaN devices still remains a major concern. In this paper, a new dynamic on-resistance...
Polar Semiconductor and Nexperia have announced a collaboration to make next generation power MOSFET devices at Polar’s US‑based wafer foundry. By combining Polar’s expertise in power semiconductor manufacturing and ongoing capacity expansion with Nexperia’s power...
Power Integrations (PI)has introduced two ultra-slim, compact auxiliary power supply reference designs for NVIDIA Kyber 800 VDC AI data centres. “As the only company offering single-HEMT 1700 V GaN devices, Power Integrations can design these best-in-class, highly...
La prochaine vague de création de valeur de l’intelligence artificielle se jouera peut-être dans les logiciels qui conçoivent les avions, les réacteurs nucléaires, les composants électroniques ou les centres de données. C’est le pari de NP Company, une jeune pousse...
Le secteur de la fabrication additive est aujourd’hui marqué par une nouvelle qui ravive l’un des chapitres les plus actifs du marché. Nano Dimension a annoncé la signature d’un accord définitif pour vendre Markforged à Stratasys, dans le cadre d’une transaction...
