5 02 2024 | Actualité Spatial, Innovation et technologique
Le centre de R&D a développé un procédé de croissance du GaN sur tranche de silicium de 200, voire 300 mm de diamètre, moins onéreux que le procédé GaN sur substrat SiC conventionnel, mais quasiment aussi performant jusqu’à 30 GHz et plus. Les substrats SiC hautes...
29 01 2024 | Innovation et technologique, Actualité Défense et Sécurité
WEST PALM BEACH, Fla. – Solitron Devices Inc. in West Palm Beach, Fla., is introducing the SD11487 hermetically sealed silicon carbide (SiC) power module for high-reliability applications in avionics, space, and down-hole exploration. The 51-by-30-by-8-millimeter...
29 01 2024 | Innovation et technologique
Infineon Technologies AG de Munich, en Allemagne, a annoncé un partenariat dans le cadre duquel elle fournira ses dispositifs à semi-conducteurs de puissance CoolSiC MOSFET 1 200 V — en combinaison avec les circuits intégrés compacts de commande de grille isolée...
15 01 2024 | Innovation et technologique
Une équipe de recherche dirigée par le professeur agrégé Jianbo Liang et le professeur Naoteru Shigekawa de la Graduate School of Engineering de l’Université métropolitaine d’Osaka au Japon a fabriqué des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en...
8 01 2024 | Innovation et technologique
Des chercheurs de l’Université métropolitaine d’Osaka prouvent que les diamants sont bien plus que les meilleurs amis des filles. Leurs recherches révolutionnaires se concentrent sur les transistors au nitrure de gallium (GaN), qui sont des dispositifs...
