To enable the next generation of solid-state power distribution systems, Infineon Technologies AG of Munich, Germany is expanding its silicon carbide (SiC) portfolio with the new CoolSiC JFET product family. The new devices are said to deliver minimized conduction...
Plus certains dispositifs céramiques fonctionnels sont petits, complexes et raffinés, plus ils sont difficiles à fabriquer par des procédés traditionnels. Dans le large éventail des techniques de fabrication existantes, l’impression 3D multi-matériaux est une de ces...
Une série de nouveaux modèles de référence intégrant un circuit intégré de commutation flyback en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V, destinés aux véhicules électriques fonctionnant à 800 V, a été développée. Ces modèles répondent à de multiples besoins en...
L’industrie des semi-conducteurs se trouve à un point où performance, efficacité et fiabilité doivent progresser en parallèle. Les besoins des infrastructures d’IA, de la mobilité électrique, de la conversion d’énergie et des systèmes de...
This paper presents a novel deep trench-type SiC MOSFET integrated with Schottky diodes (DT-JMOS) designed to improve oxide reliability and switching performances. In contrast to conventional SiC trench MOSFET with Schottky diodes (CT-JMOS), the DT-JMOS utilizes a...
