27 03 2023 | Innovation et technologique
La troisième génération de Mosfet au carbure de silicium (SiC) 650V et 1200V de Toshiba est désormais présente au catalogue d’element14. Le distributeur assure que ces produits « très polyvalents » peuvent honorer une vaste gamme d’applications comme les alimentations...
20 03 2023 | Innovation et technologique
Les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de Toshiba améliorent l’efficacité et permettent d’économiser de l’espace dans les applications industrielles… Farnell a annoncé la mise sur le marché des MOSFET en carbure de silicium (SiC) de...
13 03 2023 | Innovation et technologique
Visitez n’importe quel salon avec un élément semi-conducteur de puissance et il ne vous faudra pas longtemps pour parler de GaN (nitrure de gallium) ou de SiC (carbure de silicium). Les commutateurs à large bande interdite (WBG) ont parcouru un long chemin...
6 03 2023 | Innovation et technologique
A l’origine d’une technologie innovante brevetée censée bouleverser le secteur de l’électronique de puissance, la société publie aujourd’hui des conceptions de référence à coût optimisé pour accélérer l’adoption de sa technologie auprès de clients potentiels. En...
6 03 2023 | Innovation et technologique
L’utilisation du nitrure de gallium et des contrôleurs numériques aide les concepteurs à améliorer la puissance volumique, l’efficacité de conversion, la réponse dynamique et la fiabilité de leurs systèmes… Texas Instruments (TI), leader dans le domaine des...
