Enhanced AlGaN-GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) offer significant advantages for high-reliability circuit design. This study proposes a hybrid gate structure combining a p-GaN cap with a recessed gate, utilizing a double-barrier AlGaN-Ga-AlGaN gate stack...
This paper presents a novel thermal management approach for power semiconductor modules by integrating active liquid cooling directly into the substrate. Utilizing Direct Bond Copper (DBC) structures embedded within liquid cold plates, the method minimizes thermal...
Alors que la demande mondiale en énergie explose à cause des data centers IA, des véhicules électriques et d’autres applications à forte consommation d’énergie, onsemi présente une nouvelle technologie de puissance à base de nitrure de gallium verticale (vGaN),...
Diamond multi-wire sawing machines are essential in semiconductor manufacturing, especially for slicing hard and brittle third-generation materials such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN). The increased difficulty in processing these materials has...
Cette technologie peu coûteuse et évolutive permet d’intégrer de manière transparente des transistors en nitrure de gallium à grande vitesse sur une puce en silicium standard. Le nitrure de gallium, matériau semi-conducteur avancé, sera probablement la clé de la...
