20 12 2021 | Actualité Défense et Sécurité
De par leurs caractéristiques intrinsèques, les semi-conducteurs à grand gap, qu’ils soient à base de carbure de silicium (SiC) ou de nitrure de gallium (GaN), sont au cœur de toutes les attentions. Ils sont en effet capables de traiter des tensions nettement plus...
20 12 2021 | Actualité Défense et Sécurité, Innovation et technologie
This study deals with the non-destructive test methods applied in the industry for SiC power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Scanning acoustic tomography (SAT) is used for testing SiC power MOSFETs, which are widely used in high-power...
