Accurate and efficient modeling of AlGaN/GaN HEMTs is essential for the design of next-generation power electronics. This study introduces a hybrid Auxiliary Classifier Generative Adversarial Network (ACGAN)–mixup data augmentation framework to enhance deep neural...
In semiconductor failure analysis (FA), investigations typically begin with techniques that preserve the integrity of the sample while allowing analysts to develop initial hypotheses. However, when non-destructive methods cannot resolve structural uncertainty or...
Oubliez tout ce que vous pensiez savoir sur la résistance des matériaux et la fatalité de la surchauffe. Dans les couloirs feutrés du Laboratoire national d’Oak Ridge, des physiciens ont réussi l’impossible : dompter l’agitation thermique par la seule force d’un champ...
As electronic devices and EV systems continue to push the boundaries of power density and miniaturization, managing heat has become one of the most pressing engineering challenges. In high-power applications like silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN)...
La Direction générale de l’armement et les partenaires du pôle Bretagne Innovation Grand Ouest (BINGO) viennent de renouveler leur convention pour trois ans. L’accord vise à accélérer la mise en relation entre industriels et armées afin de transformer plus rapidement...
