15 05 2023 | Innovation et technologique
Vishay Intertechnology has launched 17 third generation 650 V silicon carbide (SiC) Schottky diodes for more reliable power supply designs. The devices use a merged PIN Schottky (MPS) design to combine high surge current robustness with low forward voltage drop,...
9 05 2023 | Innovation et technologique, Nouveaux carburants
ZF signe un accord pluriannuel avec STMicroelectronics pour la fourniture de composants en carbure de silicium ZF se dote d’un fournisseur pour la technologie en carbure de silicium (SiC) afin de répondre de manière fiable à des commandes d’électromobilité évaluées à...
9 05 2023 | Innovation et technologique
Infineon Technologies et Schweizer Electronic, une société de PCB, développent une solution pour intégrer les puces CoolSiC 1200 V d’Infineon directement sur les cartes de circuits imprimés (PCB). Ils disent que cela augmentera l’autonomie des véhicules...
9 05 2023 | Innovation et technologique
A technical paper titled “Stability, Reliability, and Robustness of GaN Power Devices: A Review” was published by researchers at Virginia Polytechnic Institute and State University, Johns Hopkins University Applied Physics Laboratory, and Kyushu University. “Gallium...
9 05 2023 | Innovation et technologique
Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) – qui est issue du groupe de conversion de l’énergie électrique et de l’énergie du département d’ingénierie de l’Université de Cambridge en 2016 et qui conçoit, développe et commercialise des transistors de...
