28 02 2022 | Actualités NAE - RTI
Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera : Is Double-Pulse Testing inadequate for GaN devices? Source :...
22 02 2022 | Actualité Aéronautique, Actualité Défense et Sécurité, Innovation et technologie
Gallium-nitride (GaN) power semiconductors are well-established, but compared with silicon (Si) devices, GaN is still an evolving power device technology. Most power designers have at least explored the use of GaN, whether it’s been depletion-mode (d-GaN) normally-on...
22 02 2022 | Actualité Aéronautique, Actualité Défense et Sécurité
GaN HEMTs are very reliable, but the precise answer is still being refined. Reliability relates to anticipated useful life and is typically measured in mean-time-to-failure. Reliability can be anticipated and determined in advance by testing and measurement. Proving...
22 02 2022 | Innovation et technologie
Enhancement mode (e-mode) GaN high electron mobility transistors (HEMTs) generally behave like n-channel power MOSFETs. Common curve tracers, parametric analyzers, and automatic discrete device parametric testers used for an n-channel power MOSFET can be applicable...
7 02 2022 | NAE, Communiqué de presse
Rouen, le 07 février 2022 – Regroupement d’experts de la fiabilité des systèmes et des composants électroniques, le Centre Français de Fiabilité (CFF) concourt à une meilleure fiabilité des systèmes de plus en plus complexes et intégrés, et développés dans des temps...
