L’introduction de composants à base de SiC dans les chaînes de conversion électromécanique du ferroviaire, si elle présente de nombreux avantages, peut avoir des conséquences sur la fiabilité de l’ensemble des systèmes d’isolation des machines. Il...
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ON Semiconductor has announced a new range of silicon carbide (SiC) MOSFET devices for applications where power density, efficiency and reliability are key considerations. By replacing existing silicon switching technologies with the new SiC devices, designers will be...
In a recent move, Cambridge GaN Devices (CGD), a fabless semiconductor company based in Cambridge, has secured a $9.5 million (approx £6.8 million) funding in a Series A round. Who led the funding? The funding round was co-led by IQ Capital, Parkwalk Advisors, and...
Ce travail de recherche s’inscrit dans la problématique de l’efficacité énergétique des convertisseurs de puissance à base de transistors GaN-HEMTs, cette thématique représente une importance primordiale pour des domaines tels que les transports, les énergies...
