Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera : Is Double-Pulse Testing inadequate for GaN devices? Source :...
Gallium-nitride (GaN) power semiconductors are well-established, but compared with silicon (Si) devices, GaN is still an evolving power device technology. Most power designers have at least explored the use of GaN, whether it’s been depletion-mode (d-GaN) normally-on...
GaN HEMTs are very reliable, but the precise answer is still being refined. Reliability relates to anticipated useful life and is typically measured in mean-time-to-failure. Reliability can be anticipated and determined in advance by testing and measurement. Proving...
Enhancement mode (e-mode) GaN high electron mobility transistors (HEMTs) generally behave like n-channel power MOSFETs. Common curve tracers, parametric analyzers, and automatic discrete device parametric testers used for an n-channel power MOSFET can be applicable...
Rouen, le 07 février 2022 – Regroupement d’experts de la fiabilité des systèmes et des composants électroniques, le Centre Français de Fiabilité (CFF) concourt à une meilleure fiabilité des systèmes de plus en plus complexes et intégrés, et développés dans des temps...
