12 05 2025 | Innovation et technologique
Une série de nouveaux modèles de référence intégrant un circuit intégré de commutation flyback en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V, destinés aux véhicules électriques fonctionnant à 800 V, a été développée. Ces modèles répondent à de multiples besoins en...
5 05 2025 | Innovation et technologique
L’industrie des semi-conducteurs se trouve à un point où performance, efficacité et fiabilité doivent progresser en parallèle. Les besoins des infrastructures d’IA, de la mobilité électrique, de la conversion d’énergie et des systèmes de...
5 05 2025 | Innovation et technologique
This paper presents a novel deep trench-type SiC MOSFET integrated with Schottky diodes (DT-JMOS) designed to improve oxide reliability and switching performances. In contrast to conventional SiC trench MOSFET with Schottky diodes (CT-JMOS), the DT-JMOS utilizes a...
28 04 2025 | Innovation et technologique
Rohm has developed the new 4-in-1 and 6-in-1 SiC molded modules in the HSDIP20 package optimized for PFC and LLC converters in onboard chargers (OBC) for xEVs (electric vehicles). The lineup includes six models rated at 750V (BSTxxx1P4K01) and seven products rated at...
22 04 2025 | Intelligence Artificielle, Innovation et technologique
Diodes Incorporated has expanded its SiC product portfolio with a series of five high-performance, low figure-of-merit (FOM) 650V SiC Schottky diodes. Rated at 4A, 6A, 8A, 10A, and 12A, the DSCxxA065LP series is housed in the ultra-thermally efficient T-DFN8080-4...
