A room-temperature bonding technique for integrating wide-bandgap materials such as gallium nitride (GaN) with thermally conducting materials such as diamond could boost the cooling effect on GaN devices and facilitate better performance through higher power levels,...
La demande en composants SiC (carbure de silicium) continue à croître rapidement, car ils maximisent l’efficacité et réduisent les dimensions et le poids des systèmes qu’ils intègrent et permettent aux ingénieurs de créer des solutions d’alimentation innovantes. Les...
Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera : Modeling the effect of oxidation on the residual tensile strength...
A room-temperature bonding technique for integrating wide bandgap materials such as gallium nitride (GaN) with thermally-conducting materials such as diamond could boost the cooling effect on GaN devices and facilitate better performance through higher power levels,...
Le Californien Transphorm, pionnier dans le développement et la fabrication de semiconducteurs à haute fiabilité et haute performance en nitrure de gallium (GaN) pour la conversion de puissance, a levé 21,5 millions de dollars dans le cadre d’un financement par...
