SOPHIA ANTIPOLIS , France – 15 mai 2025 │ Selon les données de notre SiC Patent Monitor , la technologie du carbure de silicium (SiC) de puissance a connu une forte activité de dépôt de brevets au premier trimestre 2025, avec plus de 840 nouvelles familles de brevets déposées à l’échelle mondiale. L’activité de dépôt de brevets du trimestre est marquée par l’accélération de Toshiba dans le paysage des brevets pour les dispositifs de puissance SiC, totalisant le même nombre de nouvelles inventions que celui divulgué par Global Power Technology ce trimestre. L’entreprise chinoise a été l’un des principaux déposants de brevets au cours des quatre derniers trimestres, se concentrant presque exclusivement sur la conception de structures MOSFET SiC.
Pour en savoir plus : Toshiba et Global Power Technology accélèrent leurs dépôts de brevets sur les dispositifs d’alimentation SiC