Toshiba a lancé un total de cinq nouveaux dispositifs MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V de troisième génération pour les équipements industriels.
Ces produits hautement efficaces et polyvalents seront utilisés dans une variété d’applications exigeantes, notamment les alimentations à découpage (SMPS) et les alimentations sans interruption (UPS) pour les serveurs, les centres de données et les équipements de communication. Ils trouveront également des applications dans les énergies renouvelables, notamment les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs CC-CC bidirectionnels, tels que ceux utilisés pour la recharge des véhicules électriques (VE).
Les nouveaux TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C et TW107N65C sont basés sur le procédé SiC avancé de troisième génération de Toshiba qui optimise les structures cellulaires utilisées dans les appareils de deuxième génération.
Pour en savoir plus : Toshiba lance des Mosfet en carbure de silicium (SIC) 650 V de troisième génération