Toshiba Electronics Europe (« Toshiba ») a lancé un MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V pour les applications industrielles de puissance élevée, notamment les alimentations CA-CC à tension d’entrée 400 V, les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs CC-CC bidirectionnels destinés aux alimentations sans coupure (UPS).

Source : Toshiba lance un MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V