Infineon Technologies a lancé une famille de transistors en nitrure de gallium (GaN) résistants aux radiations, fabriqués en interne dans sa propre fonderie.
Les transistors GaN à haute mobilité d’électrons (HEMT) sont basés sur la technologie CoolGaN d’Infineon et sont certifiés pour leur fiabilité par l’Agence logistique de la défense des États-Unis (DLA) selon la spécification MIL-PRF-19500/794 de l’Armée de terre, de la Marine et de l’Espace (JANS).
Ces composants peuvent être utilisés pour les satellites en orbite, l’exploration spatiale habitée et les sondes de l’espace lointain, et s’ajoutent à la gamme de MOSFET en silicium durci aux radiations. Infineon réalise également plusieurs lots avant le lancement complet de la production JANS afin de garantir la fiabilité de la fabrication à long terme.
Pour en savoir plus : Transistors HEMT GaN Rad-Hard pour conceptions spatiales