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Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique.

Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité qui abordera :

  • Operation Mechanism of GaN-based Transistors Elucidated by
    Element-Specific X-ray Nanospectroscopy
    Source : www.scopus.com – 2018-12-01
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  • Modeling the effect of damage on electrical resistivity of melt-infiltrated
    SiC/SiC composites
    Source : www.scopus.com – 2018-12-01
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  • Design and simulation on improving the reliability of gate oxide in SiC CDMOSFET
    Source : www.sciencedirect.com – 2018-11-24
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  • Infineon shows production GaN devices
    Source : www.eenewseurope.com – 2018-11-14
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  • 1700V SiC module provides reliability in extreme environments
    Source : www.eenewspower.com – 2018-11-14
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  • Reliability of GaN power transistors (Keynote Session)
    Source : www.researchgate.net – 2018-11-01
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  • 600V gallium nitride FETs with integrated drivers show 99 percent efficiency
    Source : www.eenewspower.com – 2018-10-30
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