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Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique.

Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera :

  • Toshiba lance un MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V
    Source : www.electronique-mag.com – 2020-10-21
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  • Webinaire : Atelier – Le packaging au cœur de la mobilité de demain – Innovation des modules de puissance
    Source : www.aerospace-valley.com – 2020-10-11
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  • GaN FET hermetica half bridge delivers 15 A
    Source : www.powerelectronictips.com – 2020-10-06
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  • Reliability and Robustness tests for next-generation High-Voltage SiC MOSFETs
    Source : ieeexplore.ieee.org – 2020-10-02
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  • ST associe circuit de commande et transistors GaN pour des chargeurs plus compacts et plus rapides
    Source : vipress.net – 2020-10-01
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