Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique.
Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera :
- Les HEMT GaN de 150V gagnent en fiabilité et en simplicité de contrôle
Source : vipress.net – 2021-05-29
Lire la suite - Study of the thermomechanical strain induced by current pulses in SiC-based Power MOSFET.
Source : ieeexplore.ieee.org – 2021-05-25
Lire la suite - GaN FET USB-C power adapter reference design boasts 30 W/in3 power density
Source : www.powerelectronictips.com – 2021-05-18
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