Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique.
Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera :
- High-Temperature Time-Dependent Gate Breakdown of p-GaN HEMTs
Source : ieeexplore.ieee.org – 2021-09-17
Lire la suite - Modelling of Bipolar Degradations in 4H-SiC Power MOSFET Devices by a 3C-SiC Inclusive Layer Consideration in the Drift Region
Source : ieeexplore.ieee.org – 2021-09-15
Lire la suite - Operation and performance of the 4H-SiC junctionless FinFET
Source : www.scopus.com – 2021-09-01
Lire la suite - Metallization Reliability of GaN-Based High-Voltage Light-Emitting Diodes
Source : ieeexplore.ieee.org – 2021-08-31
Lire la suite - Gate-Driver Integrated Junction Temperature Estimation of SiC MOSFET Modules
Source : ieeexplore.ieee.org – 2021-08-28
Lire la suite - NRTW – National Reliability Technology Workshop
Source : www.aerospace-valley.com – 2021-08-26
Lire la suite - Bias Temperature Instability of Silicon Carbide Power MOSFET under AC Gate Stresses
Source : ieeexplore.ieee.org – 2021-08-19
Lire la suite - Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale device thermography
Source : www.scopus.com – 2021-08-01
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