Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique.
Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera :
- Single event burnout sensitivity of SiC and Si
Source : www.scopus.com – 2022-06-01
Lire la suite - GaN Systems makes available GaN transistor ADS models for ISM RF power
Source : www.semiconductor-today.com – 2022-06-01
Lire la suite - SiC And Power GaN Continue To Grow
Source : compoundsemiconductor.net – 2022-05-26
Lire la suite - Le premier transistor GaN au monde adapté aux téléphones portables
Source : www.lmdindustrie.com – 2022-05-25
Lire la suite - An effect of source/drain spacing in AlGaN/GaN HEMT on linearity to improve device reliability
Source : ieeexplore.ieee.org – 2022-05-23
Lire la suite - Characterization of GaN HEMT under short-circuit events
Source : ieeexplore.ieee.org v- 2022-05-19
Lire la suite - Tesla use of SiC sparks debates after Model 3 recalls
Source : www.digitimes.com – 2022-05-19
Lire la suite - NIO choisit les modules de puissance de traction SiC à haut rendement d’onsemi
Source : www.electronique-mag.com – 2022-05-13
Lire la suite - STMicroelectronics supplying SiC technology for Semikron next-generation eMPack power modules for EVs
Source : www.greencarcongress.com – 2022-05-11
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