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Veille technologique NAE : Fiabilité électroniq

5 03 2018 | Actualités NAE - RTI

Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique.

Aujourd’hui retrouvez sa veille n°1 sur la thématique fiabilité électronique qui abordera :

  • A new characterization technique for extracting parasitic inductances of sic power mosfets in discrete and module packages based on two port s-parameters measurement
  • Method for growing gan crystal and c-plane gan substrate
  • Stacking fault-free semipolar and nonpolar gan grown on foreign substrates by eliminating the nitrogen polar facets during the growth
  • GaN-based Field-Effect Transistors with Laterally Gated Two-Dimensional Electron Gas
  • Zero-Voltage Switching Full-Bridge T-type Isolated DC/DC Converter with Wide Input Voltage Range and Balanced Switch Currents
  • Method of increase of threshold barrier voltage of gan transistor
  • Integrated ESD Protection Circuit for GaN Based Device
  • Method for statistically analyzing process parameters of gan device based on large-signal equivalent circuit model
  • Silver sintering die attachment for power chip in power module
  • Gan-on-si semiconductor device structures for high current/ high voltage lateral gan transistors and methods of fabrication thereof
  • Reliable electrical contacts for high power photoconductive switches

Fiche de Synthèse

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