![In-depth 2D FEM analysis of gate cracking in SiC MOSFETs under repetitive short-circuit conditions: Application of a damage-based model for crack length prediction [ESREF’25 Selected and Extended Full-Paper]](https://www.nae.fr/wp-content/uploads/2024/12/hal-logo-text-1.png)
26 01 2026 | Innovation et technologique
The on-state resistance RDSON is a key aging indicator of silicon carbide MOSFETs power module. It can provide information on both chip and packaging degradation allowing more reliable power electronic converter. This on-state resistance can be determined using both...
26 01 2026 | Innovation et technologique
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26 01 2026 | Innovation et technologique
Présenté comme une scène mondiale dédiée à l’innovation, le Consumer Electronics Show (CES) est revenu cette année à Las Vegas, du 6 au 9 janvier. L’événement rassemble des experts en technologie, des décideurs, des médias et des acheteurs issus de l’ensemble de...
26 01 2026 | Innovation et technologique
Les ingénieurs de la plateforme PFAN-P (Polymères) en collaboration avec Ultimetas, ont exploré des résines photopolymères compatibles avec l’impression 3D pour des antennes haute fréquence à bas coût. La 5G et la 6G sont définies pour répondre aux attentes des...
26 01 2026 | Innovation et technologique
The unstable nature of the dynamics of Unmanned Aerial Vehicles (UAVs) might significantly increase the complexity of their control strategies. In addition, some UAV systems require robust and fast stabilization to perform certain maneuvers. In particular, tail-sitter...
