Ayant été financé en partie par la DARPA, l’agence du Pentagone dédiée à l’innovation, et le Defence Equipment and Support [DE&S] du ministère britannique de la Défense [MoD], le projet SABRE [Synergetic Air-Breathing Rocket Engine], porté par l’entreprise...
The on-state resistance RDSON is a key aging indicator of silicon carbide MOSFETs power module. It can provide information on both chip and packaging degradation allowing more reliable power electronic converter. This on-state resistance can be determined using both...
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Présenté comme une scène mondiale dédiée à l’innovation, le Consumer Electronics Show (CES) est revenu cette année à Las Vegas, du 6 au 9 janvier. L’événement rassemble des experts en technologie, des décideurs, des médias et des acheteurs issus de l’ensemble de...
Les ingénieurs de la plateforme PFAN-P (Polymères) en collaboration avec Ultimetas, ont exploré des résines photopolymères compatibles avec l’impression 3D pour des antennes haute fréquence à bas coût. La 5G et la 6G sont définies pour répondre aux attentes des...
![In-depth 2D FEM analysis of gate cracking in SiC MOSFETs under repetitive short-circuit conditions: Application of a damage-based model for crack length prediction [ESREF’25 Selected and Extended Full-Paper]](https://www.nae.fr/wp-content/uploads/2024/12/hal-logo-text-1.png){kind=logo}
