13 04 2020 | Actualité Aéronautique, Actualité Défense et Sécurité
The Texas Instruments LMG341xR050 is a gallium nitride (GaN) power stage with an integrated gate driver and robust protection features, the 600V, 50milliohm device enables designers to realise new levels of efficiency in their power conversion systems, which includes...
30 03 2020 | Actualité Aéronautique, Actualité Défense et Sécurité
Microchip Technology annonce son portefeuille étendu de modules d’alimentation SiC plus compacts, plus légers et avec un meilleur rendement. Parallèlement à son portefeuille de microcontrôleurs et de produits analogiques, Microchip répond ainsi aux besoins en systèmes...
23 03 2020 | Actualité Aéronautique, Actualité Défense et Sécurité
Transphorm Inc of Goleta, near Santa Barbara, CA, USA — which designs and manufactures JEDEC- and AEC-Q101-qualified high-voltage gallium nitride (GaN) field-effect transistors (FETs) — says that Hangzhou Zhongheng Electric Co Ltd (HZZH) has developed an...
23 03 2020 | Actualité Défense et Sécurité, Actualité Aéronautique
A room-temperature bonding technique for integrating wide-bandgap materials such as gallium nitride (GaN) with thermally conducting materials such as diamond could boost the cooling effect on GaN devices and facilitate better performance through higher power levels,...
23 03 2020 | Actualité Aéronautique, Actualité Défense et Sécurité
La demande en composants SiC (carbure de silicium) continue à croître rapidement, car ils maximisent l’efficacité et réduisent les dimensions et le poids des systèmes qu’ils intègrent et permettent aux ingénieurs de créer des solutions d’alimentation innovantes. Les...
