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Farnell : Les MOSFET en carbure de silicium de 3ème génération de Toshiba sont disponibles

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20 03 2023 | Innovation et technologique

Les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de Toshiba améliorent l’efficacité et permettent d’économiser de l’espace dans les applications industrielles… Farnell a annoncé la mise sur le marché des MOSFET en carbure de silicium (SiC) de...
GaN, SiC or Traditional Silicon? – TimesTech

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13 03 2023 | Innovation et technologique

Visitez n’importe quel salon avec un élément semi-conducteur de puissance et il ne vous faudra pas longtemps pour parler de GaN (nitrure de gallium) ou de SiC (carbure de silicium). Les commutateurs à large bande interdite (WBG) ont parcouru un long chemin...
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE : LE BRITANNIQUE PULSIV VEUT TRANSFORMER L’ESSAI

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6 03 2023 | Innovation et technologique

A l’origine d’une technologie innovante brevetée censée bouleverser le secteur de l’électronique de puissance, la société publie aujourd’hui des conceptions de référence à coût optimisé pour accélérer l’adoption de sa technologie auprès de clients potentiels. En...
La technologie au nitrure de gallium et les microcontrôleurs en temps réel de TI

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6 03 2023 | Innovation et technologique

L’utilisation du nitrure de gallium et des contrôleurs numériques aide les concepteurs à améliorer la puissance volumique, l’efficacité de conversion, la réponse dynamique et la fiabilité de leurs systèmes… Texas Instruments (TI), leader dans le domaine des...
LE FONDEUR X-FAB PRÉVOIT D’INVESTIR 350 M$ EN 2023, EN PARTIE À CORBEIL-ESSONNES

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21 02 2023 | Innovation et technologique

En réponse à la forte demande, le fondeur X-FAB étend la capacité de tous ses sites et prévoit d’investir un total de 1 milliard de dollars sur la période 2023-2025, dont environ 350 M$ en 2023. Les principaux projets d’investissement comprennent l’extension de la...
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